[发明专利]肖特基元件及制造该肖特基元件的半导体制程有效
| 申请号： | 200710103403.9 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101051655A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰;伍佑国;林隆世 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省231台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基(Schottky)元件及其半导体制程。该肖特基元件包含一基板、一深阱、一肖特基接面(contact)、及一欧姆(Ohmic)接面。该基板以一第一型离子掺杂。该深阱区以一第二型离子掺杂且形成于基板中。该肖特基接面使一第一电极与该深阱区接触。该欧姆接面在该深阱区中使一第二电极与一含有第二型离子的重掺杂区接触。其中，该深阱区具有一形成于该肖特基接面下且含有一横向尺寸的几何状缺口(gap)，该等第一型离子及该等第二型离子为互补，且该横向尺寸用以调整该击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 元件 制造 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种具有一击穿电压的肖特基元件，其包含：一含有第一型离子的基板；一深阱区，是以第二型离子掺杂，且形成在该基板中；一肖特基接面，使一第一电极与该深阱区接触；以及一欧姆接面，在该深阱区中使一第二电极与一含有第二型离子的重掺杂区接触；其中，该深阱区具有一形成于该肖特基接面下且含有一横向尺寸的几何状缺口，该些第一型离子及该些第二型离子为互补，且该横向尺寸用以调整该击穿电压。
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