[发明专利]用以对一闪速存储元件实施逐位擦除的装置与方法有效
| 申请号： | 200710103411.3 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101071644A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种与非门存储元件利用绝缘层上覆硅技术所制造。具体地，可使用薄膜晶体管技术以制造此与非门闪速存储元件。在绝缘层上覆硅以及薄膜晶体管结构中，此存储器的本体(或阱)是被隔离的。此结构可用以允许对个别存储单元进行逐位编程及擦除动作，并可严格控制临界电压，进而允许多级存储单元操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 一闪 存储 元件 实施 擦除 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以逐个存储单元擦除多个存储单元中的目标存储单元的方法，该多个存储单元包含于存储阵列中，每一存储单元包括源极、漏极、栅极、电荷陷获结构、以及位于该源极与漏极之间的沟道区域，多条位线耦接至该多个存储单元的该源极与漏极区域，且多条字线耦接至该多个存储单元的栅极，包括：施加第一电压至与该目标存储单元相关的该字线；施加第二电压至其他该多条字线；施加第三电压至与该目标存储单元相关的该位线；以及施加第四电压至其他该多条位线，其中该第一电压和该第三电压使该目标存储单元被擦除，而该第二电压和该第四电压用以抑制其他存储单元被擦除。
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