[发明专利]形成受控的空隙的材料和方法有效
| 申请号： | 200710103575.6 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101060095A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 受控 空隙 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.形成气隙的方法，方法包括：(a)提供基底；(b)在基底上沉积具有至少一种有机前体的牺牲层；(c)在基底上沉积具有成孔剂和至少一种含有氧化硅的前体或有机硅酸盐玻璃(OSG)前体的复合层，所述成孔剂是(b)中的至少一种有机前体；和(d)对具有牺牲层和复合层的基底应用能量以除去牺牲层而提供气隙和除去成孔剂而形成多孔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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