[发明专利]制造晶体管结构的方法有效
| 申请号： | 200710103847.2 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075562A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 张永富;K·K·德茨富利安;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路。更具体地但非唯一地，本发明涉及应变沟道的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管结构及其制造方法。提供一种在衬底上形成应变沟道晶体管结构的方法，其包括以下步骤：形成包括深源极凹陷和源极扩展凹陷的源极应力体凹陷；形成包括深漏极凹陷和漏极扩展凹陷的漏极应力体凹陷；以及随后在所述源极应力体凹陷中形成源极应力体并在所述漏极应力体凹陷中形成漏极应力体。深源极/漏极和源极/漏极扩展应力体通过不间断刻蚀工艺和不间断外延工艺而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成应变沟道晶体管结构的方法，包括以下步骤：形成包括深源极凹陷和源极扩展凹陷的源极应力体凹陷；形成包括深漏极凹陷和漏极扩展凹陷的漏极应力体凹陷；以及随后在所述源极应力体凹陷中形成源极应力体并在所述漏极应力体凹陷中形成漏极应力体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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