[发明专利]去除光阻层的方法及使用此方法的半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710103944.1 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308335A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 孙智强;奚裴;蓝天呈;陈禹州;周国富;黄凯斌;颜丰设;严健鹏;杨凯;张晟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光阻层的去除方法，此光阻层已进行离子植入过程，使其表面形成硬化层，内部留下软光阻层。此方法包括先进行第一移除步骤，移除光阻层表面上的硬化层，以裸露出软光阻层，再进行第二移除步骤，以移除软光阻层，其中第一移除步骤与第二移除步骤是在不同的反应室中进行，且进行第一移除步骤的温度低于进行第二移除步骤的温度，且低于光阻层中的溶剂的气化点。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光阻层 方法 使用 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光阻层的去除方法，该光阻层已进行一个过程使其表面形成硬化层，且该硬化层包覆软光阻层，该方法包括：进行第一移除步骤，移除该硬化层，以裸露出该软光阻层；以及进行第二移除步骤，移除该软光阻层，其中该第一移除步骤与该第二移除步骤在不同的反应室进行，并且进行该第一移除步骤的温度低于进行该第二移除步骤的温度，且低于该光阻层中的溶剂的气化点。
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