[发明专利]半导体结构的形成方法无效
| 申请号： | 200710103965.3 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101188210A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 余振华;陈海清;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线于该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品中，热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡层相同的材料，在形成阻挡层前，可去除此衬阻挡层，且衬阻挡层可含有一可被硅化的金属。本发明的半导体结构的形成方法通过形成凹槽可去除介于阻挡层交界处的脆弱点，并且阻挡层可对铜导线形成良好的密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括提供一基板；在该基板上形成一低介电常数介电层；在该低介电常数介电层中形成一导线，以及在一含碳硅烷化学品中热处理该导线以在该导线上形成一阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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