[发明专利]制备半导体衬底的方法有效
| 申请号： | 200710104569.2 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101312125A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制备半导体衬底的方法，其涉及甚至在氧化物膜厚度比传统氧化物膜薄的层压晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入具有的氧化物膜厚度不超过50nm的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧计算的深度比氢离子注入层浅的位置，并且通过氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体衬底的方法，其包括下述步骤：在形成硅层的活性层晶片上形成厚度不超过50nm的氧化物膜，将氢离子注入活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入侧的深度比氢离子注入层浅的位置，通过氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落(第一发明)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710104569.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可减免船闸阀门突扩廊道跌坎空化的自然通气体型
- 下一篇：双料口沼气发生罐
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
