[发明专利]半导体制造装置

摘要

本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置，与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。

主权项

1.一种半导体制造装置，包括反应容器和用于将至少一种成膜用气体供给至所述反应容器内的至少一个成膜用喷嘴，通过将所述成膜用的气体供给所述反应容器内，反复进行原子层级或分子层级的堆积，可在配置于所述反应容器内的半导体基板上形成膜，其特征在于：还包括将对暴露在所述反应容器内的气氛中的部件进行涂层用的至少一种涂层用气体供给所述反应容器内的至少一个涂层用喷嘴，所述至少一个涂层用喷嘴中的至少一个，与所述成膜用喷嘴分别设置。