[发明专利]浅沟渠隔离结构及浮置栅极的制作方法无效
| 申请号： | 200710105053.X | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101312148A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 何青原;萧国坤 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/82;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种浅沟渠隔离结构的制作方法。首先，提供其上已形成有图案化掩模层的基底，其中图案化掩模层中具有开口。然后，于图案化掩模层的侧壁形成间隙壁。间隙壁在开口侧的侧壁与图案化掩模层的上表面之间具有钝角。接着，以图案化掩模层以及间隙壁为掩模，在基底中形成沟渠。之后，在沟渠中填入介电层。随之，移除图案化掩模层与间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 隔离 结构 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟渠隔离结构的制作方法，包括：提供基底，该基底上已形成有图案化掩模层，该图案化掩模层中具有开口；在该图案化掩模层的侧壁形成间隙壁，其中该间隙壁在该开口侧的侧壁与该图案化掩模层的上表面之间具有钝角；以该图案化掩模层以及该间隙壁为掩模，在该基底中形成沟渠；在该沟渠中填入介电层；以及移除该图案化掩模层与该间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
