[发明专利]光感测元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种光感测元件及其制造方法，该光感测元件包含一基底、一半导体层设于该基底上、一绝缘层覆盖于该半导体层上、一内层介电层覆盖于该绝缘层上以及二电极形成于部份该内层介电层上。其中，该半导体层具有一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的本征区，且该内层介电层具有至少三个孔洞分别曝露出部份该绝缘层、部分该第一掺杂区及部分该第二掺杂区。此外，二电极，是分别经由所述孔洞的其中二个连接至该第一掺杂区及该第二掺杂区。本发明不会使得光传感器的灵敏度在本征区被植入掺质后大幅降低，提高整个元件的效能。

主权项

1.一种光感测元件，其特征在于，所述元件包含：一基底；一半导体层，其形成于所述基底上，且其具有一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的本征区；一绝缘层，其覆盖于所述半导体层上；一内层介电层，其覆盖于所述绝缘层上，且其具有至少三个孔洞分别曝露出部份所述绝缘层、部分所述第一掺杂区及部分所述第二掺杂区；二电极，其形成于部份所述内层介电层上，且分别经由所述孔洞的其中二个连接至所述第一掺杂区及所述第二掺杂区。