[发明专利]像素结构与制造方法及含像素结构的光电装置与制造方法有效
| 申请号： | 200710105863.5 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101060127A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 俞善仁;彭中宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种像素结构及其制造方法以及包含该像素结构的光电装置及其制造方法，像素结构包含至少一栅极线、至少一数据线、至少一薄膜晶体管与至少一像素电极。该方法于一基板形成栅极线与数据线，数据线与栅极线实质上相互交错，并在栅极在线形成薄膜晶体管，薄膜晶体管耦接栅极线与数据线，且于基板形成像素电极，像素电极耦接薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 制造 方法 光电 装置 | ||
【主权项】：
1、一种像素结构，其包含：一第一基板；至少一栅极线，设置于该第一基板上；至少一数据线，设置于该第一基板上，且该数据线与该栅极线实质上相互交错；至少一薄膜晶体管，设置于该第一基板上，并相对于该栅极线，且该薄膜晶体管分别耦接于该栅极线及该数据线；以及至少一像素电极，设置于该第一基板上，并耦接该薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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