[发明专利]一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200710105963.8 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101068029A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 周发龙;吴大可;黄如;王润声;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍型沟道的外侧为栅氧和前栅，内侧为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和背栅，形成双栅结构；双鳍型沟道的两端连接共同的n+源和n+漏，前栅和背栅自对准、对n+源和n+漏的覆盖很小；双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，而n+源和n+漏都与体硅衬底相连，形成双鳍型沟道即体在绝缘层上的结构。本发明具有高性能MOSFET逻辑器件的功能，快闪存储器的功能，无电容式DRAM的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双鳍型 沟道 多功能 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管，该场效应晶体管基于体硅衬底，其特征在于：沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；每个鳍型沟道的外侧为栅氧和前栅，内侧为隧穿氧化层、作为电荷存储层的氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和背栅，形成双栅结构；双鳍型沟道的两端连接共同的n+源和n+漏，前栅和背栅自对准、对n+源和n+漏的覆盖很小；双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，而n+源和n+漏都与体硅衬底相连，形成双鳍型沟道，即体在绝缘层上的结构。
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