[发明专利]半导体集成电路装置无效

专利信息
申请号: 200710106428.4 申请日: 2007-05-29
公开(公告)号: CN101159262A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 荒井胜也;甲上岁浩;薮洋彰 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体集成电路装置。以由形成在半导体衬底的表面的第一导电型阱区域10与形成在阱区域10内的第二导电型第一扩散层11构成的二极管作保护元件,第一扩散层11的周围由形成在阱区域10内的第一导电型第二扩散层12包围着,在第一扩散层11的表面形成有与输出入端子23连接的第一接触区域14,在第二扩散层12的表面形成有与基准电压端子连接的第二接触区域15。结果是,提供一种包括结构简单、低输入电容且高ESD耐量的静电放电保护元件的半导体集成电路装置。
搜索关键词: 半导体 集成电路 装置
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,包括静电放电保护元件,所述静电放电保护元件,包括:由形成在半导体衬底的第一导电型阱区域与形成在所述阱区域的第二导电型第一扩散层构成的二极管,其特征在于:所述第一扩散层的周围被形成在所述阱区域内的第一导电型第二扩散层包围着,在所述第一扩散层的表面形成有连接在输出入端子的第一接触区域,在所述第二扩散层的表面形成有连接在基准电压端子的第二接触区域。
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