[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 200710106428.4 | 申请日: | 2007-05-29 |
公开(公告)号: | CN101159262A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 荒井胜也;甲上岁浩;薮洋彰 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体集成电路装置。以由形成在半导体衬底的表面的第一导电型阱区域10与形成在阱区域10内的第二导电型第一扩散层11构成的二极管作保护元件,第一扩散层11的周围由形成在阱区域10内的第一导电型第二扩散层12包围着,在第一扩散层11的表面形成有与输出入端子23连接的第一接触区域14,在第二扩散层12的表面形成有与基准电压端子连接的第二接触区域15。结果是,提供一种包括结构简单、低输入电容且高ESD耐量的静电放电保护元件的半导体集成电路装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,包括静电放电保护元件,所述静电放电保护元件,包括:由形成在半导体衬底的第一导电型阱区域与形成在所述阱区域的第二导电型第一扩散层构成的二极管,其特征在于:所述第一扩散层的周围被形成在所述阱区域内的第一导电型第二扩散层包围着,在所述第一扩散层的表面形成有连接在输出入端子的第一接触区域,在所述第二扩散层的表面形成有连接在基准电压端子的第二接触区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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