[发明专利]使用倒置晶片投射光学接口的浸渍光刻系统及方法无效
| 申请号： | 200710106514.5 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101059659A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 哈瑞·休厄尔 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种液体浸渍光刻系统，其包含一曝光系统，该曝光系统系以电磁辐射曝光一基底、且还包含一聚集电磁辐射于基底上的投射光学系统。一种液体供应系统提供液体于投射光学系统与基底之间。投射光学系统被置于基底底下。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 倒置 晶片 投射 光学 接口 浸渍 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液体浸渍光刻系统，其包含：一曝光系统，其曝光一基底并包含一投射光学系统；及一液体提供机构，用以提供液体于投射光学系统与基底之间，其中投射光学系统被置于基底底下。
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