[发明专利]半导体器件、切断电熔丝的方法以及确定电熔丝状态的方法无效
| 申请号： | 200710106567.7 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101086982A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 上田岳洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底和电熔丝，电熔丝形成在半导体衬底上并包括第一导体和与第一导体电分离的第二导体。在切断处理之后的电熔丝状态下，第一导体被切断并分成与第二导体电分离的第一部分和包括流动区域的第二部分，构成第一导体的材料从该流动区域向外流出并电连接到第二导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 切断 电熔丝 方法 以及 确定 丝状 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；和电熔丝，其形成在所述半导体衬底上，并包括第一导体和与所述第一导体电分离的第二导体；其中在切断处理后的所述电熔丝的状态下，所述第一导体被切断并分成与所述第二导体电分离的第一部分和包括流动区域的第二部分，构成第一导体的材料从该流动区域向外流动且该流动区域电连接到所述第二导体。
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