[发明专利]存储器单元与其非易失性装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710106936.2 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101303889A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/105;H01L23/522;H01L29/423;H01L21/8239;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种存储器单元与其非易失性装置的制造方法。藉由采用具有分离式栅极结构的非易失性装置，藉以将存储器单元的逻辑状态储存于非易失性装置中。故而即使于电源关闭时，非易失性装置仍然能够保留储存的资料。其不但拥有静态随机存取存储器操作快速的优点，同时又能够兼具非易失性存储器储存资料的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 与其 非易失性 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器单元，其特征在于其包括：一第一金氧半导体，该第一金氧半导体的第一端耦接一第一接点，且该第一接点耦接于一第一电压，该第一金氧半导体的第二端耦接一第二电压，该第一金氧半导体的栅极端耦接该第二接点；一第二金氧半导体，该第二金氧半导体的第一端耦接一第二接点，且该第二接点耦接于该第一电压，该第二金氧半导体的第二端耦接一第三电压，该第二金氧半导体的栅极端耦接该第一接点；一第一非易失性装置，具有分离式栅极结构，该第一非易失性装置的控制栅极端耦接一第一控制偏压，该第一非易失性装置的选择栅极端耦接一第一选择偏压，该第一非易失性装置的第一端耦接该第一接点，该第一非易失性装置的第二端耦接一第一位元线；以及一第二非易失性装置，具有分离式栅极结构，该第二非易失性装置的控制栅极端耦接一第二控制偏压，该第二非易失性装置的选择栅极端耦接一第二选择偏压，该第二非易失性装置的第一端耦接该第二接点，该第二非易失性装置的第二端耦接一第二位元线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710106936.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种搅拌式镉还原棒的制备方法
- 下一篇：钛白粉的消解方法和检测方法
