[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 200710107404.0 | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101071841A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了可以在不损害发光元件原有功能的前提下，流过20A/cm2密度的电流所必需的电压不到3V，可以在比以往更低的电压下工作的氮化物半导体发光元件。多重量子阱(15)中所含有的InbGa1－bN阻挡层的In组成比b为0.04≤b≤0.1，并且，包括该InbGa1－bN阻挡层，发光元件中含有的In组成比为0.04～0.1范围的InGaN层的厚度的合计为60nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，在衬底上至少叠层n型层、由多对InGaN阱层/InGaN阻挡层构成的多重量子阱活性层、以及p型层，所述的多重量子阱活性层所含有的InGaN阻挡层的组成由InxGa1-xN(0.04≤x≤0.1)表示，并且，包括上述InGaN阻挡层，发光元件中含有的In组成比为0.04～0.1范围的InGaN层的厚度的合计为60nm以下。
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