[发明专利]用于形成半导体器件的结构和方法无效
| 申请号： | 200710107413.X | 申请日： | 2007-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101075563A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;R·J·珀特尔;H·K·乌托莫;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/78;H01L29/43;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：至少一个具有源极和漏极(S/D)金属硅化物层的场效应晶体管(FET)，所述源极和漏极金属硅化物层具有内部拉伸或压缩应力。首先，在FET的S/D区域上形成包括硅化物金属M的金属层，接着进行第一退火步骤，以形成包括第一相(MSix)的金属硅化物的S/D金属硅化物层。然后在FET上形成氮化硅层，接着进行第二退火步骤。在所述第二退火步骤期间，所述金属硅化物层从所述第一相(MSix)转化为第二相(MSiy)，其中x＜y。所述金属硅化物的转化在所述FET的所述S/D金属硅化物层中引起了体积缩小或膨胀，这又在所述氮化硅层限制下的所述S/D金属硅化物层中产生了内部拉伸或压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：形成至少一个包括源极区域和漏极区域的场效应晶体管(FET)；在所述至少一个FET的所述源极和漏极区域上形成金属层，其中所述金属层包括能够与硅反应形成内部应力的金属硅化物的硅化物金属M；进行第一退火步骤，以分别在所述至少一个FET的所述源极和漏极区域中形成源极和漏极金属硅化物层，其中所述源极和漏极金属硅化物层包括第一相(MSix)的金属硅化物；在所述至少一个FET上形成氮化硅层；以及进行第二退火步骤，以将所述金属硅化物从所述第一相(MSix)转化为第二相(MSiy)，其中x＜y，并且其中所述金属硅化物相的转化在所述至少一个FET的所述源极和漏极金属硅化物层中产生内部拉伸或压缩应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
