[发明专利]晶片和绝缘特性监测方法

摘要

本发明涉及晶片和绝缘特性监测方法，提供了一种对形成在晶片上的多个磁头元件的电绝缘进行测量的绝缘特性测量方法。所述多个磁头元件中的每一个都包括上磁极层、下磁极层、布置在所述上磁极层与所述下磁极层之间的多个绝缘层、以及由导电材料形成并设置在所述多个绝缘层之间的线圈层。在所述多个磁头元件中的至少一个中，上磁极层与下磁极层相互电绝缘，并且该元件的上磁极层、下磁极层以及线圈层分别连接到用于对绝缘进行测量的多个电极的端子。通过这些电极来测量磁头元件的绝缘特性。因此可以测量是否确保了这些磁头元件的需要彼此绝缘的多个层之间的绝缘。

主权项

1.一种晶片，所述晶片包括：多个磁头元件，所述磁头元件具有：上磁层；下磁层，所述下磁层与所述上磁层电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中；和至少一个磁头监测元件，所述磁头监测元件具有：上磁层；下磁层；绝缘层，所述绝缘层位于所述上磁层与所述下磁层之间；以及由导电材料构成的线圈层，所述线圈层形成在所述绝缘层中，所述磁头监测元件的所述上磁层与所述下磁层电隔离。