[发明专利]图像感测器微透镜结构的制作方法无效

专利信息
申请号: 200710108273.8 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101320103A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 余政宏 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: G02B3/00 分类号: G02B3/00;H01L21/71;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种图像感测器微透镜结构的制作方法,首先提供至少包含有平坦层的半导体基底,进行第一光刻工艺,在该平坦层上形成第一组微透镜凸块,随后进行第一烘烤工艺形成第一组微透镜结构。紧接着进行第一表面处理,以固化(harden)该第一组微透镜结构的表面。而后进行第二光刻工艺,在该平坦层上形成第二组微透镜凸块;随后进行第二烘烤工艺形成第二组微透镜结构。
搜索关键词: 图像 感测器微 透镜 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;进行第一光刻工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;进行第一表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;进行第二光刻工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。
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