[发明专利]图像感测器微透镜结构的制作方法无效
申请号: | 200710108273.8 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101320103A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 余政宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00;H01L21/71;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种图像感测器微透镜结构的制作方法,首先提供至少包含有平坦层的半导体基底,进行第一光刻工艺,在该平坦层上形成第一组微透镜凸块,随后进行第一烘烤工艺形成第一组微透镜结构。紧接着进行第一表面处理,以固化(harden)该第一组微透镜结构的表面。而后进行第二光刻工艺,在该平坦层上形成第二组微透镜凸块;随后进行第二烘烤工艺形成第二组微透镜结构。 | ||
搜索关键词: | 图像 感测器微 透镜 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像感测器微透镜结构的制作方法,包含有:提供半导体基底,该半导体基底至少包含有平坦层;进行第一光刻工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜凸块;进行第一烘烤工艺,在该平坦层表面形成第一组微透镜结构;进行第一表面处理,以固化该第一组微透镜结构的表面;进行第二光刻工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜凸块;以及进行第二烘烤工艺,在该平坦层表面形成第二组微透镜结构。
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