[发明专利]处理基材的设备和方法有效
| 申请号： | 200710108456.X | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101136310A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金贤钟;具教旭;赵重根 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁兴龙;武玉琴 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种基材处理设备，包括：带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在该卡盘上；底部室，该底部室具有打开的顶部并用于围住该卡盘的周边；顶部室，该顶部室用于打开或关闭该底部室的顶部，使得在该顶部室与外部隔离时使该基材干燥；以及直接喷嘴部件，该直接喷嘴部件安装在该顶部室，用于在该底部室的顶部关闭时将流体直接喷射到该基材上。使用这种基材处理设备，可以提高整个基材的干燥效率，抑制外部污染，并防止生成氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 基材 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基材处理设备，包括：带有卡盘的基材支撑单元，基材装载在所述卡盘上；底部室，所述底部室具有打开的顶部并用于围住所述卡盘的周边；顶部室，所述顶部室用于打开或关闭所述底部室的顶部，使得在所述顶部室与外部隔离时使所述基材干燥；以及直接喷嘴部件，所述直接喷嘴部件安装在所述顶部室，用于在所述底部室的顶部关闭时将流体直接喷射到所述基材上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
