[发明专利]相变化存储器无效
| 申请号： | 200710108889.5 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320783A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘应励 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种相变化存储器，该相变化存储器包含第一电极与第二电极、第一相变化材料层形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与该第二电极通过该第一相变化材料层达成电性连结、以及碳掺杂的氧化物介电层包覆该第一相变化材料层的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器，包括：第一电极与第二电极；第一相变化材料层形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与该第二电极通过该第一相变化材料层达成电性连结；以及碳掺杂的氧化物介电层包覆该第一相变化材料层的侧壁。
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