[发明专利]栅极与栅极材料的制造方法无效
| 申请号： | 200710109013.2 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101325214A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 施俊吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/49;H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极以及栅极材料的制造方法，该栅极包含有导体缓冲层与导体层。导体缓冲层设置于栅极介电层上，此导体缓冲层的平均晶粒尺寸约小于100纳米。导体层设置于导体缓冲层上，其平均晶粒尺寸约大于或等于100纳米。由于导体缓冲层的设置，可以减弱噪声与暗电流对于元件效能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅极，设置于栅极介电层上，包括：导体缓冲层，设置于该栅极介电层上，该导体缓冲层的平均晶粒尺寸约小于100纳米；以及导体层，设置于该导体缓冲层上，且该导体层的平均晶粒尺寸约大于或等于100纳米。
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