[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×10¹⁹/cm³～1×10²¹/cm³并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×10¹⁹/cm³～3×10²¹/cm³且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

主权项

1.一种半导体器件，包含：形成于基片上的n-沟道TFT和p-沟道TFT，n-沟道TFT和p-沟道TFT之中的每一个都具有一个半导体层，该半导体层包括位于绝缘膜之上的沟道形成区、源区、漏区和吸杂区，位于半导体层上的栅极绝缘膜，以及位于栅极绝缘膜上的栅电极，其中吸杂区在一个区域之外形成，在源区和漏区中的电子和空穴中的任何一种都向该区域移动。