[发明专利]切割晶圆的方法有效
申请号: | 200710109881.0 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101075580A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 褚福堂;钟启源 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种切割晶圆的方法包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道,其中该等切割道位于该主动表面上,以界定出若干个晶粒;提供一复合胶膜,贴附该复合胶膜于该晶圆的主动表面,其中该复合胶膜包括一第一胶膜以及一第二胶膜,该第二胶膜位于该第一胶膜与该晶圆的主动表面之间,并且该第二胶膜为透明的;研磨该晶圆的背面;移除该第一胶膜;以及沿该等切割道切割附着有该第二胶膜的该晶圆,以分离该等晶粒。 | ||
搜索关键词: | 切割 方法 | ||
【主权项】:
1、一种切割晶圆的方法,包括提供一晶圆,所述晶圆具有一主动表面、一背面以及若干个纵向及横向的切割道,其中所述切割道位于所述主动表面上,以界定出若干个晶粒;其特征在于:所述切割晶圆的方法进一步包括下列步骤:提供一复合胶膜,贴附所述复合胶膜于所述晶圆的主动表面,其中所述复合胶膜包括一第一胶膜以及一第二胶膜,所述第二胶膜位于所述第一胶膜与所述晶圆的主动表面之间,并且所述第二胶膜为透明的;研磨所述晶圆的背面;移除所述第一胶膜;以及沿所述切割道切割附着有所述第二胶膜的所述晶圆,以分离所述晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造