[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 200710110046.9 | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093788A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 林豊秀 | 申请（专利权）人： | 大日本网目版制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而向基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和有机溶剂的混合液中的有机溶剂的比例增加。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向所述基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，而使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到所述基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥，所述干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和所述有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和所述有机溶剂的混合液中的所述有机溶剂的比例增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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