[发明专利]GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710110168.8 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101090062A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 井尻英幸;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/673;H01L21/20;H01L23/00;H01L33/00;B65D85/86;B65D81/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法、储存的衬底、和半导体器件以及制造该半导体器件的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主表面的表面粗糙度Ra和第二主表面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主表面与(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在（1100）方向上为0.05°到2°，以及在（1120）方向上为0°到1°。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 储存 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种储存GaN衬底的方法，包括：在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或25g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛下储存GaN衬底的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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