[发明专利]多次可编程存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710110181.3 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330107A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林育贤;李文芳;黄雅凰;刘明彦;沈毓康 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多次可编程存储器及其制造方法。所述多次可编程存储器包括隧穿介电层、浮置栅极、栅间介电层、控制栅极。隧穿介电层设置于基底上。浮置栅极设置于隧穿介电层上。栅间介电层设置于浮置栅极上，其中栅间介电层在浮置栅极的边缘部分的厚度大于在浮置栅极的中心部分的厚度。控制栅极设置于栅间介电层上。本发明的多次可编程存储器中，由于栅间介电层在浮置栅极的边缘部分的厚度大于在浮置栅极的中心部分的厚度。因此在浮置栅极的顶角与控制栅极之间较不易形成漏电流。而且，浮置栅极的圆化的顶角可以避免电场集中、形成尖端放电，而可以避免器件漏电流，提升数据的保持力。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多次可编程存储器，包括：隧穿介电层，设置于基底上；浮置栅极，设置于该隧穿介电层上；第一栅间介电层，设置于该浮置栅极上，其中该第一栅间介电层在该浮置栅极的边缘部分具有第一厚度、在该浮置栅极的中心部分具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；以及控制栅极，设置于该第一栅间介电层上。
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