[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

通过多晶硅栅极与金属膜的反应形成双栅极的情况下，由于在栅极的高度方向以外在横向也产生金属膜的扩散以及硅化物反应，因此在NMIS区域与PMIS区域的PN边界产生金属原子的相互扩散。由多晶硅膜构成的栅电极(6)、(7)隔着形成在NMIS区域与PMIS区域的边界的元件分离绝缘膜(5S)上方的、填埋空隙(10)的侧壁隔离物部分(12S)分离并相互对置。在栅电极(6)上形成第一金属膜(14)，在栅电极(7)上形成不同种类的第二金属膜(16)。通过由热处理所导致的硅化物化反应的促进，栅电极(6)、(7)成为不同种类的金属硅化物栅极。此时，可以通过绝缘膜(12)的存在，抑制从金属膜(14)、(16)向栅电极(6)、(7)的金属原子的相互扩散。

主权项

1.一种具有CMIS晶体管的半导体装置，其特征在于，在NMIS晶体管与PMIS晶体管中栅电极的材料不同，在位于NMIS区域与PMIS区域的边界部的元件分离绝缘膜的上方，所述NMIS晶体管以及所述PMIS晶体管的两栅电极彼此相互分离并对置，所述两栅电极的对置面通过导电性膜进行电连接。