[发明专利]反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列及其制造方法。该反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其包括：一基板，其包括一主动区；复数个排成一列的晶胞，位于上述主动区上；一第一阻障层，覆盖上述复数个晶胞和围绕上述列的各末端的上述主动区；一第一氧化物，沉积于上述复数个晶胞之间的一间隙中，且填充上述间隙；一氧化物间隙壁，形成于位于上述列的各末端的上述晶胞的侧壁上；一多晶硅间隙壁，形成于上述氧化物间隙壁上，上述多晶硅间隙壁是做为驱动上述列晶胞的一选择栅极。

主权项

1、一种反及闸型快闪记忆体晶胞阵列，其特征在于其包括：一基板，其包括一主动区；复数个排成一列的晶胞，位于该主动区上；一第一阻障层，覆盖该复数个晶胞和围绕该列的各末端的该主动区；一第一氧化物，沉积于该复数个晶胞之间的一间隙中，且填充该间隙；一氧化物间隙壁，形成于沿着该列的各末端的该晶胞的侧壁上；以及一多晶硅间隙壁，形成于该氧化物间隙壁上，该多晶硅间隙壁是做为驱动该列晶胞的一选择栅极。