[发明专利]电沉积滚筒无效
申请号: | 200710111198.0 | 申请日: | 2007-06-14 |
公开(公告)号: | CN101135058A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 宇都木福三 | 申请(专利权)人: | UT科技有限公司 |
主分类号: | C25D1/04 | 分类号: | C25D1/04;C25D17/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;徐谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种抑制热点的发生,且能以高生产率来制造高品质的金属箔的电沉积滚筒。该电沉积滚筒具备内滚筒和配置于该内滚筒外周的圆筒状外层,其中,在该内滚筒和该外层之间形成的沟槽部中,填充具有比该内滚筒以及该外层大的热膨胀率且熔点为150℃以下的导电性低熔融合金。 | ||
搜索关键词: | 沉积 滚筒 | ||
【主权项】:
1.一种电沉积滚筒,其具备内滚筒和配置于该内滚筒外周的圆筒形外层,该电沉积滚筒的特征在于,在该内滚筒和该外层之间形成的沟槽部中,填充具有比该内滚筒以及该外层大的热膨胀率且熔点为150℃以下的导电性低熔融合金。
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