[发明专利]以氧化锌制作发光装置的方法有效
| 申请号： | 200710111305.X | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330117A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周明奇;吴季珍;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 周明奇;中美硅晶制品股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以氧化锌制作装置的方法，其选择一铝酸锂基板，并在该铝酸锂基板上依序磊晶成长一氧化锌缓冲层及一氮化镓成核层，利用该氧化锌与氮化镓具有相似的纤维锌矿结构，可以获得高质量氮化镓，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO2结构成长一多重量子井及一第一金属电极层，再蚀刻去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层，并在该氮化镓成核层之下方成长一第二金属电极层。藉此，利用单晶薄膜状的氧化锌缓冲层不仅可使氮化镓成核层在铝酸锂基板上成功成长，且可降低氮化镓的缺陷密度，进而达到近似晶格匹配并获得良好的晶体接口质量，以提升发光效率及后续完成的组件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 制作 发光 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种以氧化锌制作发光装置的方法，其特征在于：该方法至少包括下列步骤：A、取一铝酸锂基板；B、在该铝酸锂基板上依序成长氧化锌缓冲层及氮化镓成核层，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO2结构成长多重量子井及第一金属电极层；C、将B步骤成长后的结构浸泡于酸性溶液中蚀刻，并去除该铝酸锂基板及该氧化锌缓冲层；以及D、于该氮化镓成核层的下方成长第二金属电极层，以完成发光装置结构。
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