[发明专利]面发光型半导体激光器有效

专利信息
申请号: 200710111495.5 申请日: 2007-06-27
公开(公告)号: CN101098067A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 望月理光 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18;H01S5/187
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种可以减少激光的振荡模数、且与单纯地减小电流狭窄层的直径的情况相比可实现高输出的面发光型半导体激光器。本发明涉及的面发光型半导体激光器(100)包括:下部反射镜(10);活性层(103),形成在下部反射镜的上面;以及上部反射镜(20),形成在活性层的上面,下部反射镜及上部反射镜是层叠了多个单位多层膜的多层膜反射镜,单位多层膜包括在沿上下方向被层叠的一组低折射率层和高折射率层,单位多层膜满足下式(1),活性层满足下式(2),dD<λ/2nD(1);dA>mλ/2nA(2);其中,λ是面发光型半导体激光器(100)的设计波长,m是正整数,dD是单位多层膜的厚度,nD是单位多层膜的平均折射率,dA是活性层的厚度,nA是活性层的平均折射率。
搜索关键词: 发光 半导体激光器
【主权项】:
1.一种面发光型半导体激光器,包括:下部反射镜;活性层,形成在所述下部反射镜的上面;以及上部反射镜,形成在所述活性层的上面,其中,所述下部反射镜及所述上部反射镜是层叠了多个单位多层膜的多层膜反射镜,所述单位多层膜包括沿上下方向被层叠的一组低折射率层和高折射率层,所述单位多层膜满足下式(1),所述活性层满足下式(2),dD<λ/2nD ...(1)dA>mλ/2nA ...(2)其中,λ是所述面发光型半导体激光器的设计波长,m是正整数,dD是所述单位多层膜的厚度,nD是所述单位多层膜的平均折射率,dA是所述活性层的厚度,nA是所述活性层的平均折射率。
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