[发明专利]具有放大的第二位操作区间的多阶存储单元结构

摘要

本发明公开一种多阶存储单元装置，包括电荷捕捉结构，其具有通过从栅极或是衬底注入空穴而在此电荷捕捉结构的每一端产生多个逻辑状态以形成较大的第二位操作区间。注入空穴过程经由栅极或衬底导致边缘感应效应而发生。所述空穴电荷储存在一个与字线交叉的电荷捕捉层中，且空穴电荷沿着字线的边缘储存。在此多阶存储单元装置中的每一存储单元包含总共2m个位而此存储单元的每一侧有m位，总共有2*2m个临界电压Vt分布而此存储单元的每一侧有2m个临界电压Vt分布，以及总共有2*2m个逻辑状态而此存储单元的每一侧有2m个逻辑状态。

主权项

1、一种多阶存储单元(MLC)装置，包括：衬底；栅极；以及电荷捕捉结构，其位于所述衬底与所述栅极之间且具有第二位操作区间，所述电荷捕捉结构具有第一电荷储存端与分离的第二电荷储存端，所述第一电荷储存端具有m个位以产生2m个临界电压Vt分布，以及多个感应区间，在所述第一电荷储存端的每一感应区间定义介于两个临界电压Vt分布之间的电压边缘；其中所述第二位操作区间通过移动空穴至所述电荷捕捉层的空穴注入而扩大。