[发明专利]在控制栅极边缘上操作存储装置的方法与结构

摘要

本发明的电荷捕捉存储装置与方法，利用边缘诱发效应而增加第二位操作区间。此边缘诱发效应发生于字线底下的区域，使得当对存储装置使用空穴注入法时，空穴电荷储存于电荷捕捉层中，电荷捕捉层与字线正交，且空穴电荷沿着字线的边缘储存。在实施例中，虚拟接地阵列包括电荷捕捉层，其设置于二介质层之间，使得源极与漏极区域之上没有电荷捕捉层。施加空穴注入至此虚拟接地阵列之后，空穴电荷沿着每一字线的边缘储存，因为字线的边缘与非边缘部分相较之下，其电场较大。

主权项

1、一种存储装置，包括：基板；电荷捕捉结构，其位于所述基板上，所述电荷捕捉结构在第一方向延伸；以及栅极在第二方向延伸，并与所述电荷捕捉层交错，所述栅极具有底面，所述底面由第一边缘与非边缘部分所定义，所述第一边缘与第二边缘分隔，且所述非边缘部分介于所述第一边缘与所述第二边缘之间，所述非边缘部分具有第一临界电压，所述第一与第二边缘具有第二临界电压，所述第二临界电压值低于所述第一临界电压；其中空穴通过空穴注入而被移至所述电荷捕捉层，且置于所述栅极之下、并沿着所述栅极的所述第一与第二边缘排列。