[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710112042.4 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101093854A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 木下敦宽;古贺淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够有效抑制短沟道效应和结泄漏电流的半导体器件。半导体器件包含场效应晶体管的。该场效应晶体管包括，第一导电类型的第一半导体区，在栅绝缘膜上形成的栅电极，以及源电极和漏电极。该场效应晶体管还包括第二导电类型的第二导电区。该场效应晶体管还包括：第二导电类型的第三半导体区，其杂质浓度高于第二半导体区的杂质浓度，并形成在源电极与第一和第二半导体区之间以及漏电极与第一和第二半导体区之间；和在栅电极的两侧形成的侧壁绝缘膜。源电极和漏电极与侧壁绝缘膜分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包含场效应晶体管的半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体区域，具有表面部分，在该表面部分上形成有沟道区；在所述沟道区上形成的栅电极；在所述栅电极与所述沟道区之间的栅绝缘膜；在所述沟道区两侧形成的源电极和漏电极；在所述源电极与所述沟道区之间以及所述漏电极与所述沟道区之间的第二导电类型的第二半导体区；在所述源电极与所述第一和第二半导体区之间、以及在所述漏电极与所述第一和第二半导体区之间形成的第二导电类型的第三半导体区，该第三半导体区的杂质浓度高于所述第二半导体区的杂质浓度；和在所述栅电极的两个侧表面上形成的侧壁绝缘膜，所述侧壁绝缘膜与所述源电极和所述漏电极分离。
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