[发明专利]附着型区域传感器以及具有这种附着型区域传感器的显示装置有效

专利信息
申请号: 200710112200.6 申请日: 2001-01-30
公开(公告)号: CN101090139A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 山崎舜平;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/173 分类号: H01L31/173;H01L23/522
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;张志醒
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种重量轻、(厚度)薄、尺寸小的附着型区域传感器。该区域传感器的像素具有作为光源的EL元件和作为光电转换元件的光电二极管。为了控制EL元件和光电二极管的工作,该附着型区域传感器使用了TFT。
搜索关键词: 附着 区域 传感器 以及 具有 这种 显示装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:衬底;在像素中提供在所述衬底上的光电二极管,所述光电二极管包括阴极、阳极以及提供在阳极和阴极之间的光电转换层;在所述像素中提供在所述衬底上的EL元件;在所述像素中提供在所述衬底上的复位TFT;在所述像素中提供在所述衬底上的缓冲TFT;在所述像素中提供在所述衬底上的选择TFT;提供在所述衬底上的复位栅信号线;提供在所述衬底上的传感器栅信号线;提供在所述衬底上且连接到恒流源的传感器输出接线;和提供在所述衬底上用于保持恒定电位的传感器电源线;其中,复位TFT的源区连接到传感器电源线;复位TFT的漏区连接到缓冲TFT的栅极和光电二极管;缓冲TFT的漏区连接到传感器电源线;选择TFT的源区和漏区中的一个连接到传感器输出接线,另一个连接到缓冲TFT的源区;选择TFT的栅极连接到传感器栅信号线;光电二极管的阴极连接至复位TFT的漏区;所述复位TFT为p沟道TFT;且所述缓冲TFT为n沟道TFT。
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