[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710112263.1 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097963A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 盐野入丰;王丸拓郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于对能够利用无线通信进行信息交换的半导体装置容易附加个体标识符，还在于制造高可靠性半导体装置。本发明的技术要点如下：一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜、栅绝缘膜、以及栅电极；层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中并包括到达源区及漏区之一方的多个接触孔的第一接触孔；以及到达源区及漏区之另一方的第二接触孔，其中第二接触孔的径大于包括在第一接触孔中的多个接触孔的每一个的径，并且第一接触孔的底面积的合计与第二接触孔的底面积相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区及漏区的岛状半导体膜，其中栅绝缘膜形成为与所述岛状半导体膜相邻，并且栅电极形成为与所述岛状半导体膜相邻；在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之一方接触的多个第一接触孔；以及形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之另一方接触的第二接触孔，其中，所述第二接触孔的直径大于所述多个第一接触孔的每一个的直径，且所述多个第一接触孔的底面积的合计与所述第二接触孔的底面积相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710112263.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
