[发明专利]减少集成电路泄漏电流的方法和设备有效
申请号: | 200710112267.X | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101110420A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 程志斌;萨特亚吉特·杜塔;彼得·J·克里姆 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G11C11/413 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了减小集成电路的功耗和泄漏电流的方法和设备。讨论了用于包括高速缓存存储电路的多种类型的集成电路的新的泄漏功率补救技术。实施例包括通过使用虚拟电压轨道或虚拟功率轨道向集成电路负载提供功率的减小集成电路中的功耗的方法和设备。该方法和设备通常包括使用一个或两个虚拟功率控制装置来对该集成电路负载加上“头”和“脚”,或者将其夹在中间。在这些方法实施例中,一个或多个元件感测虚拟功率轨道或节点的电压,并进行调整来控制电压到某些特定“虚拟”电压电位。当以此方式控制电压时,虚拟功率控制装置可以用于限制流经集成电路负载的不必要的电流。 | ||
搜索关键词: | 减少 集成电路 泄漏 电流 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种减小集成电路负载的泄漏电流的方法,该方法包括:将第一电压施加于低电位装置的第一端子,以在低压节点产生低电压,其中该低电位装置的第二端子和第三端子被耦合到该低压节点,通过该低电位装置控制该低电压,其中该低电位装置经第三端子感测该低电压;将第二电压施加于高供电节点,其中该高供电节点被耦合到所述集成电路负载;以及经该第一电压和第二电压向集成电路负载供电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710112267.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种矿棉熔炉供风设备
- 下一篇:一种反烧式采暖炉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的