[发明专利]图像传感器组件无效
| 申请号： | 200710112542.8 | 申请日： | 2003-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101079437A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 坂本雄二 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 图像传感器组件(X1)，具有：壳体(1)、透镜压板(2)、图像传感器芯片(4)、基板(5)、透镜单元(A、B)，在壳体(1)上形成用于固定透镜单元(A、B)的台阶部(1a)，透镜压板(2)固定在壳体(1)上，同时与透镜单元(A、B)的上面接触，通过透镜压板(2)的按压力，透镜单元(A、B)按压到壳体(1)的台阶部(1a)。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 组件 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器组件，其特征在于，具有：搭载在基板上的图像传感器芯片；透镜单元，其具有与所述图像传感器芯片相对的透镜部、和从该透镜部向下方延伸的隔板，所述隔板与所述图像传感器芯片直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
