[发明专利]用于制造p型半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200710112585.6 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101330118A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 江风益;王立;方文卿;莫春兰 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 330047江西省南昌市南京*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例提供了一种用于制造III－V族p型氮化物结构的方法。该方法包括在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III－V族材料。该方法还包括在第二生长环境中在第一层的顶部上生长第二层p型III－V族材料，其比第一层厚并且其具有第二受主浓度。另外，该方法包括在第三生长环境中在第二层的顶部上生长第三层p型III－V族材料，其比第二层薄并且其具有第三受主浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造III-V族p型氮化物结构的方法，所述方法包括：在第一生长环境中生长具有第一受主浓度的第一层p型III-V族材料；在第二生长环境中在所述第一层的顶部上生长第二层p型III-V族材料，其比所述第一层厚并且其具有第二受主浓度；以及在第三生长环境中在所述第二层的顶部上生长第三层p型III-V族材料，其比所述第二层薄并且其具有第三受主浓度。
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