[发明专利]薄膜晶体管和图像显示装置有效
申请号: | 200710112587.5 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101106162A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 松村三江子;波多野睦子;宫本光秀 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管,消除在顶层栅极型薄膜晶体管的岛状半导体薄膜的端部发生的、由在硅薄膜端部处的栅极电场的集中和硅薄膜端部附近的固定电荷引起的阈值偏差而导致的电流成分。在岛状半导体薄膜(SEMI-I)的源极侧或漏极侧的某一单侧,使栅电极(GT)沿着该岛状半导体薄膜(SEMI-I)的轮廓不间断地延伸而设置分支闭路(DET),取消作为子沟道的岛状半导体薄膜(SEMI-I)的端部的电流成分路径。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 图像 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其在岛状半导体薄膜的上部具有隔着栅极绝缘膜而配置的栅电极,并在所述栅电极的两侧配置有源电极和漏电极,其特征在于:其在所述岛状半导体薄膜上的所述源电极的形成侧和所述漏电极的形成侧中的任意一方或双方具有分支闭路,该分支闭路从所述栅电极分支后,沿着形成所述岛状半导体薄膜的轮廓的侧边缘且覆盖该侧边缘来对其进行围绕。
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