[发明专利]三维多端口存储器及其控制方法无效
| 申请号： | 200710113301.5 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101131858A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 曾凡太 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 三维多端口存储器，属于半导体集成电路领域，包括：存储器芯核，多个读写从端口，直接访问主端口。本发明通过直接访问主端口在垂直方向提供的数据通道和物理连接利用晶圆堆叠组装方法构成三维多端口存储器。利用路由决策模块提供了多个外部设备在不同层间的端口上同时并发访问三维存储器的能力。本发明的优点：1.三维多端口存储器的组装方法，减小了单片面积，缩短了互连线长度，减少了数据传输延迟，提高了超大规模集成电路在深亚微米生产中的良品率。2.多主设备同时并发访问能力为多处理器系统芯片提供了除片上总线、片上网络之外的第三种多处理器间的片上互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 多端 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维多端口存储器，包括存储器芯核，其特征在于它是由多层含有存储记忆体和读写控制逻辑电路的半导体晶圆堆叠而成的，每一层晶圆上包括多个读写从端口和一个直接访问主端口以及存储记忆体阵列，读写从端口可由其它微处理器和主设备控制的电路模块，通过这些模块访问所在晶圆层的存储记忆体阵列；直接访问主端口可以自己主动访问所在晶圆层和其它晶圆层上的存储记忆体阵列中的数据。
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