[发明专利]一种低压/高α值的ZnO压敏元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低压/高α值的ZnO压敏元件及其制造方法，属于化学材料及制备领域。该低压/高α值的ZnO压敏元件，是通过如下方式制成的：用ZnO掺入bi、Ti、Mn、C0、Ni、Zr、W、Al的氧化物至少3种制成导电膜片；用Zn－bi－Sb系或Zn－bi－Sn系掺入Co、Mn、Ni、W、Si、Al、Zr的氧化物至少4种制成高α值的压敏膜片，将两种膜片叠合成复合膜片，烧成具有低压/高α值的压敏膜片。本发明用复合膜片技术制造低压/高α值ZnO压敏元件，解决了低压/高α值压敏元件存在的困难。该技术可将电压梯度降到0.8－3V，非线性系数α保持在40－60，漏电流为0.5－1.0uA。

主权项

1.一种低压/高α值的ZnO压敏元件，其特征在于：是通过如下方式制成的：用ZnO掺入bi、Ti、Mn、CO、Ni、Zr、W、Al的氧化物至少3种制成导电膜片；用Zn--bi--Sb系或Zn--bi--Sn系掺入Co、Mn、Ni、W、Si、Zr、Al的氧化物至少4种制成高α值的非线性指数面性压敏膜片，将两种膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在950℃-1100℃，2.5-3.0小时保温烧成具有低压/高α值的压敏膜片；膜片两面焙银并切成元件要求的尺寸，附上引线包封成元件；元件性能：VlmA/mm＝0.8-3.0V，α＝40-60，Ir＝0.5-1.0uA。