[发明专利]一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片，是通过如下方式制成的：将Mn－Ni－Cu系加入TiO₂、Cr₂O₃、Nb₂O₅、WO₃、Pr₆O₁₁中选出的2－3种制成低电阻率膜片；将Mn－Co－Cu系加入TiO₂、Nb₂O₅、NiO的组合物制成高B值膜片；将两种膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在1080℃－1120℃，2.5－3.0小时保温锻烧成具有低电阻率/高B值的热敏膜片，烧后密度为4.9－5.1g/cm³，然后热敏膜片两面焙银并切成芯片要求的尺寸。本发明还涉及一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片的制备方法。本发明的有益效果是，具有极低的电阻率和很高的B值，制备工艺简单，制造成本低、生产效率高，适合大规模生产。

主权项

1.一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于：是通过如下方式制成的：将Mn-Ni-Cu系加入TiO2、Cr2O3、Nb2O5、WO3、Pr6O11中选出的2-3种制成低电阻率膜片；将Mn-Co-Cu系加入TiO2、Nb2O5、NiO的组合物制成高B值膜片；将两种膜片叠合成复合膜片，经压制减薄后，在1080℃-1120℃，2.5-3.0小时保温锻烧成具有低电阻率/高B值的热敏膜片，烧后密度为4.9-5.1g/cm3，然后热敏膜片两面焙银并切成芯片要求的尺寸。