[发明专利]一种立体式空间分布电极的发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710114547.4 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN101257072A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 潘群峰;陈文欣;林雪娇;洪灵愿;吴志强 申请(专利权)人: 厦门三安电子有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 厦门原创专利事务所 代理人: 徐东峰
地址: 361009福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明所公开的一种具有立体式空间分布电极的氮化镓基发光二极管器件及其制造方法,通过绝缘性衬上生长n型氮化镓基外延层、有源层和p型氮化镓基外延层所组成的发光材料,采用蒸发或者溅射的方法在p型氮化镓基外延层和绝缘性材料层上生长一层透明导电层,在透明导电层上对P、N电极进行立体式空间布置,使得P、N条状电极在法向投射面上相互基本吻合,由于本发明将遮光的p条状电极7b通过电学隔离,立体式空间布置在不发光的n条状电极5b上方并法线上的重合面积达到80%以上,避免了p条状电极7b对发光区的遮挡,从而最大限度地利用发光面积,大大提高本发明功率型LED芯片的发光效率。
搜索关键词: 一种 立体 空间 分布 电极 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有立体式空间分布电极的氮化镓基发光二极管器件,其特征在于:-绝缘性的衬底;-n型氮化镓基外延层形成于衬底之上,有源层形成于n型氮化镓基外延层之上,p型氮化镓基外延层形成于有源层之上;-n焊线盘和n条状电极形成暴露的n型氮化镓基外延层之上;-绝缘性材料层形成n条状电极和暴露的n型氮化镓基外延层之上,并且覆盖在暴露的n型氮化镓基外延层、有源层和p型氮化镓基外延层侧表面;-透明导电层形成p型氮化镓基外延层和绝缘性材料层之上;-p焊线盘和p条状电极形成于透明导电层之上。
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