[发明专利]非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管IGBT及其制造方法无效
| 申请号： | 200710114843.4 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101452951A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈智勇;李昕 | 申请（专利权）人： | 科达半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 257091山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管IGBT及其制造方法，主要结构包括：底层集电极，N型-硅衬底、形成在N-硅衬底的底层内的P+型集电区，P-扩散区，形成在P-扩散区内的N+区，栅氧层，栅电极、栅极绝缘膜，表层金属发射极和钝化层。先通过底层P型离子注入，然后在硅片表面淀积AL薄膜，利用AL的P型掺杂性能，结合低温离子激活处理技术，形成P+型集电区，适合于现行的NPT-IGBT工艺，使用的设备简单、制造方便，有利于降低生产成本，提高量产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 非穿通 npt 绝缘 栅双极型 晶体管 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管IGBT及其制造方法，由底层集电极，N型硅衬底、P+型集电区，P-扩散区，N+区，栅氧层，栅电极，栅极绝缘膜，表层金属发射极和钝化层组成，其特征在于通过底层P型离子注入，然后在硅片表面淀积AL薄膜，利用Al的P型掺杂性能，结合低温离子激活处理技术，形成P+型集电区。
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