[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710118153.6 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335332A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 于贵;狄重安;郭云龙;徐新军;刘云圻;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体管，包括衬底，和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，有机场效应晶体管为上电极结构，源电极和漏电极均为铜。本发明以低功函、低成本的铜为晶体管的源漏电极，得到具有良好性能的上电极结构的有机场效应晶体管，很大程度上降低了有机场效应晶体管的成本，并且工艺简单，成本低廉；本发明上电极结构的有机场效应晶体管具有和金为源漏电极的晶体管相当的高性能，同时，由于铜在无机工艺广泛应用性，使得本发明有机场效应晶体管具有更好的无机工艺兼容性，应用范围更加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机场效应晶体管，包括衬底，和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极，其特征在于：所述有机场效应晶体管为上电极结构，所述源电极和漏电极均为铜。
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