[发明专利]双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710118279.3 申请日: 2007-07-04
公开(公告)号: CN101101971A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 杨盛谊;娄志东;邓振波;侯延冰 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京市商泰律师事务所 代理人: 齐玲;毛燕生
地址: 100044*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法,即在透明衬底上蒸镀导电电极作为栅极,然后将有机介电绝缘材料制备到透明导电栅极上,再将导电源极蒸镀到有机介电绝缘层上,再蒸镀有机功能层,最后蒸镀透明导电漏极完成全有机场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管中的介电绝缘层和功能层都是用有机材料,且该光电晶体管使用垂直结构,所以制作简单,无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。该光电晶体管上下两面都可以吸收光照,利于提高器件性能。
搜索关键词: 双面 透光 有机 场效应 光电晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种双面透光的全有机场效应光电晶体管,其特征在于其采用垂直构型器件结构,即:在透明衬底(1)上,有透明导电电极(2);在透明导电电极(2)之上,有透明有机介电绝缘层(3)和有机功能层(5);在透明有机介电绝缘层(3)与有机功能层(5)之间,有导电电极(4)作为源极;在有机功能层(5)上有透明导电电极作为漏极(6)。
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