[发明专利]三维集成电路的实现方法有效
| 申请号： | 200710118827.2 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101079386A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王喆垚;宋崇申;蔡坚;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 何文彬 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维集成电路的实现方法，属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层；使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的通孔，使电镀种子层通过通孔暴露出来；使用自底向上的电镀技术，将所述电镀种子层作为起点，电镀填充通孔，并在填充的通孔上制作凸点；采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接。本发明通过沉积电镀种子层，采用自底向上的电镀方式实现高深宽比的垂直互连通孔内的填充，降低了工艺难度，不仅可以实现硅衬底的三维集成，还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成，具有很好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 实现 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维集成电路的实现方法，其特征在于，所述方法包括：步骤A：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面上淀积电镀种子层，并将所述第一层电路圆片与所述辅助圆片键合；步骤B：使用所述辅助圆片作为支撑，对所述第一层电路圆片进行减薄，并刻蚀所述第一层电路圆片制造通孔，使所述电镀种子层通过通孔在所述第一层电路圆片的背面暴露；步骤C：使用自底向上的电镀技术，将所述电镀种子层作为起点，电镀填充通孔，并在填充的通孔上制作凸点；步骤D：采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接，然后将辅助圆片去除，实现所述第一层电路圆片和所述第二层电路圆片构成的三维集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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